Экзамен Электроника и Электротехника “Принцип действия полевого…

  • ID работы: 11580
  • Учебное заведение:
  • Добавлена: 2019
  • Посл. изменения: 12-12-2019
  • Тип:  .
  • Предмет: Электроника, Электротехника

Цена: 100.00руб.

#СибГУТИ 1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Экзамен Изобразите принципиальную схему базового

Отзывы

Отзывов пока нет.

Будьте первым кто оставил отзыв;

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Заказать