Зачёт по физическим основам электроники СибГУТИ

Билет № 2

1. Диффузионные и дрейфовые токи в полупроводнике.

2. Входные и  выходные характеристики БТ в схеме с ОЭ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.

Диффузионные токи. В полупроводниках свободные электроны и дырки находятся в состоянии хаотического движения. Поэтому, если выбрать произвольное сечение внутри объема полупроводника и подсчитать число носителей заряда, проходящих через это сечение за единицу времени слева направо и справа налево, значения этих чисел окажутся одинаковыми. Это означает, что электрический ток в данном объеме полупроводника отсутствует.