Номер записи: 1516
Хочешь скидку? Узнай как получить
К этой записи 0 комментария (-ев)

Зачёт по физическим основам электроники СибГУТИ

Цена: Поинтересоваться ценой

Билет № 2

 

1. Диффузионные и дрейфовые токи в полупроводнике.

2. Входные и  выходные характеристики БТ в схеме с ОЭ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.

Диффузионные и дрейфовые токи в полупроводнике

 

 

 

Диффузионные токи. В полупроводниках свободные электроны и дырки находятся в состоянии хаотического движения. Поэтому, если выбрать произвольное сечение внутри объема полупроводника и подсчитать число носителей заряда, проходящих через это сечение за единицу времени слева направо и справа налево, значения этих чисел окажутся одинаковыми. Это означает, что электрический ток в данном объеме полупроводника отсутствует.

Отзывы

Отзывов пока нет.

Будьте первым кто оставил отзыв;

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *