Контрольная Теория электрической связи

  • ID работы: 14199
  • Учебное заведение:
  • Добавлена: 2019
  • Посл. изменения: 30-12-2019
  • Тип:  .
  • Предмет: Теория электрической связи (Общая теория связи)
  • Формат: zip

Цена: 200.00руб.

#СибГУТИ

ВАРИАНТ 21

ЗАДАЧА 1

  1. Стационарный случайный процесс x(t) имеет одномерную функцию плотности (ФПВ) мгновенных значений w(x), график и параметры которой приведены в таблице 1.

Требуется:Определить параметр h ФПВ.

  1. Построить ФПВ w(x) и функцию вероятностей (ФРВ) F(x) случайного процесса.
  2. Определить первый m1 (математическое ожидание) и второй m2 начальные моменты, а также дисперсию D(x) случайного процесса.

Дано: a = 2; b = 6; c = 3; d = 4; e = 0,2.

Вид заданной функции плотности вероятности (ФПВ):

 

ЗАДАЧА 2

Энергетический спектр гауссовского стационарного случайного процесса x(t) равен G(w). Среднее значение случайного процесса равно mx = m1 = M(x(t)).

Требуется:

  1. Определить корреляционную функцию B(t) случайного процесса.
  2. Рассчитать величины эффективной ширины спектра и интервала корреляции рассматриваемого процесса.
  3. Изобразить графики G(w) и B(t) с указанием масштаба по осям и покажите на них эффективную ширину спектра и интервал корреляции.
  4. Запишите выражение для функции плотности вероятности w(x) гауссовского стационарного случайного процесса и постройте ее график.
  5. Определите вероятность того, что мгновенные значения случайного процесса будут меньше a – p(x < a); будут больше b – p(x > b); будут находиться внутри интервала [c,d] – p(c < x < d).

Исходные данные к задаче представлены в таблицах 2 и 3.

Дано:      G0 = 1×10-3 В2 с/рад;

a = 700 рад/с;   mx = 1;   a = 0;   b = 3;   c = -2;   d = 2.

ЗАДАЧА 3

Дано:  Вольт-амперная характеристика (ВАХ) биполярного транзистора амплитудного модулятора аппроксимирована выражением:

где      iк – ток коллектора транзистора,

S = 110 мА/В – крутизна характеристики,

uб – напряжение на базе транзистора,

uо = 0,45 В – напряжение отсечки,

um = 0,5 В – амплитуда входного высокочастотного сигнала.

Требуется:

  1. Объяснить назначение модуляции несущей и описать различные виды модуляции.
  2. Изобразить схему транзисторного амплитудного модулятора, пояснить принцип ее работы и назначение ее элементов.
  3. Дать понятие статической модуляционной характеристики (СМХ). Рассчитать и построить (СМХ) при заданных S, u0 и значении смплитуды входношо высокочастотного напряжения Um.
  4. C помощью статической модуляционной характеристики определить оптимальное смещение E0 и допустимую величину амплитуды UW модулирующего напряжения UW×cosWt, соответствующие неискаженной модуляции.
  5. Рассчитать коэффициент модуляции mАМ для выбранного режима. Построить спектр и временную диаграмму АМ–сигнала.

ЗАДАЧА 4

Дано:  Вольт-амперная характеристика (ВАХ) амплитудного детектора аппроксимирована выражением:

 

Напряжение АМ колебания на входе детектора:

UАМ(t) = Um [1 + mАМ cos(2pFt)]cos(2pf0t)

где      S = 40 мА/В; mАМ = 0,9; kд = 0,85;

Um = 1,2 B; f0 = 350 кГц; F = 5,0 кГц.

Требуется:

  1. Пояснить назначение детектирования модулированных колебаний. Изобразить схему диодного детектора и описать принцип ее работы.
  2. Рассчитать необходимое значение сопротивления нагрузки детектора RН для получения заданного значения коэффициента передачи детектора kД.
  3. Выбрать значение емкости нагрузки детектора CН при заданных f0 и F.
  4. Рассчитать и построить спектры напряжений на входе и выходе детектора. Значения S, mAM и kД даны в таблице 5, а значения Um, F и f0 – в таблице 6.

 

 

Отзывы

Отзывов пока нет.

Будьте первым кто оставил отзыв;

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Заказать