Входное задание:
Принцип работы
Во входной цепи схемы используется многоэмиттерный транзистор. Количество эмиттеров равно трём. Резистор R2 и транзистор Т2 образуют простой инвертор.
1) На каждый вход подаётся единица
Пусть Uвх1 = Uвх2 = Uвх3 = U1лог
Uэ1т1 = Uэ2т1 = Uэ3т1 > Uбт1
Переходы б — э1 , б – э2 и б – э3 закрыты ( смещен в обратном направлении )
Uбт2= Uкт1< Uбт1. Поэтому коллекторный переход в Т1 смещен в прямом направлении (Переход Б-К Т1 открыт)
Т1 работает в инверсном режиме
Напряжение Uбт1 открывает переходы Б-К Т1 и Б-Э Т2
Т2 работает в режиме насыщения (Uбт2> Uкт2)
Uвых= U0лог = Uкэ2= Uкэ2нас=0.1 : 0.3 В
2) Хотя бы один вход равен нулю
Uвх1 = U0лог
Uвх2 = Uвх3 = U1лог
б – э1 открыт
б – э2 и б – э3 закрыт
б – э1 полностью открывается и Т1 переходит в режим насыщения.
Ток базы Iбт1 возрастает, соответственно возрастает UR1 = Iбт1 * R1 – возрастает
Напряжение Uбт1 падает. И этого напряжения Uбт1 не хватает для открытия обоих переходов К-Б Т1 и Б-Э Т2 (К-Б Т1 – открыт, а Б-Э Т2 закрыт)
Uбт2 < Uкт2 . Переход К-Б Т2 смещен обратно, а Б-Э Т2 закрыт и находится в режиме большого сопротивления
Через Т2 протекает очень маленький ток. Т2 находится в закрытом состоянии.
Iкт2 очень мал. Rт2>>R2.
Uвых=Е- Iкт2 * R2 =Е= U1лог
ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального
образования
МОСКОВСКИЙ ИСТИТУТ ЭЛЕКТРОНИКИ И МАТЕМАТИКИ
(ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)
КАФЕДРА ЭЛЕКТРОТЕХНИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ
Домашняя работа 1
Расчет логической схемы
Вариант 12
Выполнил:
Группа К-51
Толкуев М.Ю.
Принял:
Орехов Е.В.
Москва 2010
Расчет логической схемы.
1. Нарисовать в масштабе топологии и технологические сечения транзисторов и
резисторов.
2. Рассчитать spice-параметры моделей транзисторов схемы.
3. Описать принцип работы схемы.
4. Используя рассчитанные параметры моделей промоделировать схему в SPICE и
построить:
· передаточную характеристику схемы: UВЫХ(UВХ), определить по ней уровни
логического нуля (U0) и единицы (U1), запас помехоустойчивости схемы;
· зависимость потребляемого схемой тока от входного напряжения IПОТР(UВХ) и
рассчитать средний потребляемый ток;
· переходные характеристики схемы: UВЫХ(t) и UВХ(t), определить по ним времена
задержек и фронтов переключения, максимальную рабочую частоту схемы (fmax);
· рассчитать статическую и динамическую потребляемую мощность.
Входное задание:
Расчет spice параметров одноэмиттерного биполярного транзистора:
Диффузионная длина электронов в базе, см |
Коэффициент , учитывающий градиент примеси в базе |
Глубина залегания p-n перехода база-коллектор, см |
Глубина залегания эмиттерного p-n перехода, см |
Толщина активной базы, см |
Подвижность электронов в объеме базы, |
см^2/(В*с) |
Тепловой потенциал при комнатной температуре (Т=300К), В |
см^2/см |
Коэффициент диффузии электронов в базе, |
Концентрация донорной примеси в эмиттерной области: у эмиттерного перехода, см^-3 |
Концентрация донорной примеси в эпитаксиальной пленке коллектора, см^-3 |
Минимальный размер, см |
Параметры эмиттера, см |
Параметры базы, см |
Диффузионная длина дырок в коллекторе, см |
Число эммитеров |
Обозначение для сокращения длины записи коэффицента усиления |
Коэффициент усиления тока базы в инверсном режиме |
Заряд электрона, Кл |
Концентрация носителей зарядов в собственном полупроводнике, см^-3 |
Промежуточные данные, необходимые для расчета коэффициента усиления |
Коэффициент диффузии дырок в коллекторе, см^2/с |
Коэффициент усиления тока базы в нормальном режиме |
Поверхностное сопротивление пассивной области базы (вне эмиттера), Ом |
Расстояние между эмиттером и контактом базы, см |
Сопротивления, составляющие полное сопротивление коллектора, Ом |
Сопротивление коллектора, Ом |
Время пролета базы, с |
Ток насыщения, А |
Сопротивление базы(Rb), Ом |
Толщина скрытого n+ слоя, см |
Параметры коллектора, см |
Удельное объемное сопротивление коллекторной области, Ом*см |
Толщина эпитаксиального слоя, см |
Концентрация донорной примеси в эмиттерной области: у эмиттерного перехода, см^-3 |
Концентрация акцепторной примеси в области базы: у эмиттерного перехода, см^-3 |
Диэлектрическая проницаемость,Ф/см |
Относительная диэлектрическая проницаемость проводника |
Потенциальный барьер p-n перехода при нулевом смещении |
Функция для вычисления минимума |
Емкости расчет емкостей |
Емкость коллекторного p-n перехода, Ф |
Емкость эмиттерного p-n перехода, Ф |
Расчет коэффициента усиления для многоэмиттерного биполярного транзистора:
Число эмиттеров |
Обозначение для сокращения длины записи коэффициента усиления |
Коэффициент усиления тока базы в инверсном режиме |
Спайс
Топологии
Принцип работы схемы
Отзывы
Отзывов пока нет.