Содержание
Лабораторная работа № 2. Исследование резисторного каскада широкополосного усилителя на полевом транзисторе
Лабораторная по курсу Схемотехника телекоммуникационных устройств 2019 года (Бородихин М. Г.). Подобные л/р но с другими условиями есть тут и тут.
- Лабораторная №1
- Лабораторная №2
- Лабораторная №3
Вариант 01
Вариант | 1 |
СЗИ, пФ | 21 |
СЗС, пФ | 6 |
ССИ, пФ | 13 |
RВЫХ, Ом | 155 |
S, мА/В | 205 |
RН, Ом | 55 |
YB | 0,95 |
K0 | 4,5 |
RГ, Ом | 51 |
RЗ, МОм | 1,1 |
Вариант 02
Вариант | 2 |
СЗИ, пФ | 22 |
СЗС, пФ | 7 |
ССИ, пФ | 14 |
RВЫХ, Ом | 160 |
S, мА/В | 210 |
RН, Ом | 60 |
YB | 0,85 |
K0 | 5 |
RГ, Ом | 52 |
RЗ, МОм | 1,2 |
- Цель работы
Исследовать влияние элементов схемы каскада широкополосного усилителя на полевом транзисторе с общим истоком на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики).
- Задание
4.1. Рассчитать fB, RC, CВХ каскада, приведенного на рисунке 3.1, при использовании транзистора с характеристиками из таблицы 4.1. Параметры выбирать по последней цифре варианта: СЗИ; СЗС; ССИ; RВЫХ; S и условий: RН; YB; K0.
Сопротивление стока:
отсюда:
Рассчитаем
23,81 Ом
Отсюда:
52,40 Ом
Верхняя частота полосы пропускания каскада равна
где
0,38
Входная ёмкость:
64 пФ.
4.2. Рассчитать K0 и fB входной цепи, приведенной на рисунке 3.2, с характеристиками из таблицы 4.1: RГ; RЗ; YB. CВХ – из предыдущего расчета.
0,999957
4.3. Рассчитать fB, LC, RC, CВХ каскада, приведенного на рисунке 3.3, при использовании транзистора с данными из таблицы 4.1 и условий: YB; K0 . Каскад работает в качестве предоконечного; входная емкость нагружающего каскада берется из предыдущих расчетов.
Из п. 4.1:
2136 МГц
4.4. Рассчитать fB, R1, С1, СВХ каскада, приведенного на рисунке 3.4, при использовании транзистора с данными из таблицы 4.1 и условий: YB; K0 . Каскад работает в качестве предоконечного; входная емкость нагрузочного каскада берется из предыдущих расчетов.
Пусть тогда
Положим, что тогда
Выводы: в ходе работы были рассчитаны элементы схемы каскада широкополосного усилителя на полевом транзисторе с общим истоком на его показатели, такие как коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики.
Литература
- Конспект лекций
- Г.А. Травин. Основы схемотехники устройств радиосвязи, радиовещания и телевидения. – М.: Горячая Линия — Телеком, 2009. – 592 с.
Отзывы
Отзывов пока нет.