Сдавалось в: << смотреть
Номер записи: 527
Хочешь скидку? Узнай как получить
К этой записи 0 комментария (-ев)

Контрольная работа по дисциплине “Физические основы электроники”

Цена: 100.00руб.200.00руб.

Выберите нужный вариант - отобразится его стоимость - нажмите Купить:

Очистить

#СибГУТИ Контрольная работа по дисциплине “Физические основы электроники” выполняется в СибГУТИ.

Особенность контрольной — задачи №№ 1,2,3 по последней цифре пароля, т.е. если у Вас пароль заканчивается на 6, то Вам подойдёт вариант 06,16, 26, 36 и т.д.

А задача №4 по предпоследней цифре пароля, т.е. если у Вас вариант 05, то Вам подойдут все варианты: 01, 02, 03, 04, 06, 07, 08, 09 и т.д.

 

Содержание задач контрольной работы

Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:

а) построить линию нагрузки;

б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;

в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия h .

Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.

Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты½ Н21½ / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.

Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.

Вариант 01

контрольная Физические основы электроники СибГУТИ

Вариант 06

 

ФОЭ вариант 06

Вариант 08

Контрольная работа по дисциплине “Физические основы электроники”

 

Вариант 11

ФОЭ вариант 11

Вариант 12

ФОЭ вариант 12

 

Вариант 21

ФОЭ вариант 21

 

 

 

Вариант 70

ФОЭ Вариант 70

 

 

 

Отзывы

Отзывов пока нет.

Будьте первым кто оставил отзыв;

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *