РОЗРАХУНОК ТА КОНСТРУЮВАННЯ ТОНКОПЛІВОЧНИХ РЕЗИСТОРІВ ТА КОНДЕНСАТОРІВ

АНОТАЦІЯ

 Розрахунок та конструювання тонкоплівочних резисторів та конденсаторів.- Рукопис.

Курсова робота містить 44 сторінки машинописного тексту, 5 таблиць, 6 рисунків, 2 креслення та 14 джерел літератури.

Курсова робота присвячена одержанню геометричних розмірів елементів, котрі необхідні для вибору топології мікросхеми та розгляду процесу електронно-променевої літографії.

ЗМІСТ

 

ВСТУП…………………………………………………………….…………5

РОЗДІЛ 1. ЛІТЕРАТУРНИЙ ОГЛЯД……………………….………….…7

1.1.   Інтегральна мікросхема …………………….………………………7

1.2.   Класифікація ІС……………………………………..….……….….8

1.3.   Корпуси інтегральних мікросхем …………………..……….…….9

РОЗДІЛ 2. МЕТОДИЧНА ЧАСТИНА……………………….…………..12

2.1.   Розрахунок параметрів інтегральних резисторів…………………12

2.2.   Розрахунок контактних переходів для низькоомних і високоомних резисторів…………………………………………………..14

23.    Розрахунок параметрів конденсаторів………..………………….15

2.4.   Розрахунок необхідної площі підкладки…………………………18

РОЗДІЛ3 . РОЗРАХУНКОВА ЧАСТИНА…………………………….…19

3.1.   Розрахунок параметрів інтегральних резисторів…………………19

3.2.   Розрахунок контактних переходів для низькоомних і високоомних резисторів…………………………………………………..22

3.3.   Розрахунок параметрів конденсаторів………………….…………23

3.4.   Розрахунок необхідної площі підкладки……………………..….26

РОЗДІЛ 4. ГРАФІЧНА ЧАСТИНА……………………………………….27

РОЗДІЛ 5. ТЕХНОЛОГІЧНА ЧАСТИНА…………………….……………..30

5.1. Призначення й методи літографіi………..………………………………30

5.2. Електронно-променева літографія………………………………………..33

5.3. Алгоритми формування топології…..…………………………………38

5.4. Послідовність процесу ЕПЛ…………..…………………….…………40

ВИСНОВКИ…………………………………………………………….….42ЛІТЕРАТУРА………………………………………………………………44