РГР Общая теория связи для студентов заочной формы обучения СибГУТИ для направления 11.03.02

Варианты: 01, 06
  • ID работы: 13643
  • Учебное заведение:
  • Добавлена: 2019
  • Посл. изменения: 8-10-2022
  • Тип:  .
  • Предмет: Теория электрической связи (Общая теория связи)
  • Формат: pdf,docx

Цена: 600.00

Выберите нужный вариант - отобразится его стоимость - нажмите В корзину:

Расчётно-графическая работа по курсу «Общая теория связи» по методическим указаниям 2018 года.  Есть похожие предыдущих годов, смотрите по ссылке или метке «Теория электрической связи» в колонке справа.

общая теория связи

Вариант 01

Есть только задачи 1, 3, 4

Вариант

a0, мА/В a1, мА/В a2, мА/В f1, кГц f2, кГц Um1, В Um2, В
1. 8 6.4 1.3 5 1 1.5 0.8

 

Предпоследняя цифра номера студенческого билета 0
S, mA/B 100
Последняя цифра номера студенческого билета 1
u0, В 0,45
Um, В 0,50

 

Таблица 4

Предпоследняя цифра номера студенческого билета 0
S, mA/B 30
mАМ 0,8
kд 0,9

 

Таблица 5

Последняя цифра номера студенческого билета 1
Um , В 1,2
f0, кГц 350
F, кГц 5

 

Вариант 06 (наверное)

Есть только задачи 1, 2, 3

Таблица 1 – Исходные данные

a0, мА/В a1, мА/В a2, мА/В f1, кГц f2, кГц Um1, В Um2, В
6 12 6 3 0.8 0.6 0.4

Таблица 2 — Исходные данные

S, мА/В U0, В Um, В E, В
22 0,2 1,1 -0,5

 

Таблица 3 — Исходные данные

а0, мА/В а1, мА/В а2, мА/В E, В Um Um
4 6 3 5.8 2.5 1

 

 

 

  1. РАСЧЕТНО-ГРАФИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ И МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ ПО ЕГО ВЫПОЛНЕНИЮ

Задача 1

К полупроводниковому прибору с нелинейной вольт-амперной характеристикой прикладывается бигармоническое напряжение     .

Вольт-амперная характеристика прибора аппроксимируется степенным полиномом:

где icпротекающий через полупроводниковый прибор ток;

uвоздействующее на полупроводниковый прибор напряжение.

        

Рассчитать спектр тока и построить спектральную диаграмму для исходных данных таблицы 1.

 

Таблица 1. Исходные данные

 

Вариант

a0, мА/В a1, мА/В a2, мА/В f1, кГц f2, кГц Um1, В Um2, В
1. 8 6.4 1.3 5 1 1.5 0.8

 

Задача 2

Ток в полупроводниковом диоде i связан с приложенным напряжением U кусочно-линейной зависимостью:

где S – крутизна,

U0напряжение отсечки.

         Найдите постоянную составляющую тока I0, амплитуду первой, второй и третьей гармоник протекающего тока (Im1, Im2, Im3) для входного воздействия в виде напряжения Uвх(t)=E+Umcosw0t.

         Постройте спектральную диаграмму протекающего тока и укажите, какие спектральные составляющие следует выделять параллельным колебательным контуром для получения умножения частоты в два и три раза.

 

Таблица 2. Исходные данные

 

Вариант

S, мА/В U0, В Um, В E, В
1.       30 0,2 0,5 0,5

 

Методические указания:

  1. Изучить материал ([3], с. 63-68).
  2. Метод угла отсечки применяется при кусочно-линейной аппроксимации вольт-амперных характеристик. Он широко используется при расчетах транзисторных усилителей, генераторов и умножителей частоты.

Половина части периода, в течение которой протекает ток (или та часть периода, в течение которой ток изменяется от максимального значения до нулевого), называется углом отсечки. Угол отсечки обозначаем θ.

Нахождение максимального тока осуществляется по формуле:

Imax = SU(1 – cosθ)

Периодическая последовательность импульсов тока [3, c. 64] является четной функцией. Ее разложение в ряд Фурье имеет вид:

I =I0 + I1cosωt + I2cos2ωt + I3cos3ωt + …

Амплитуды компонент тока определяются как:

In = SUαn(θ),

коэффициент αn называется соответственно коэффициентами постоянной составляющей, первой, второй и прочих гармоник, зависящими от угла отсечки [3, с. 65].

 

 

Задача 3

 

Вольт-амперная характеристика (ВАХ) биполярного транзистора амплитудного модулятора аппроксимирована выражением

 

где   — ток коллектора транзистора;

      — напряжение на базе транзистора;

 — крутизна вольт-амперной характеристики;

— напряжение отсечки ВАХ.

 

Требуется:

  1. Объяснить назначение модуляции несущей и описать различные виды модуляции.
  2. Изобразить схему транзисторного амплитудного модулятора, пояснить принцип ее работы и назначение ее элементов.
  3. Дать понятие статической модуляционной характеристики (СМХ). Рассчитать и построить (СМХ) при заданных S, u0 и значении амплитуды входного высокочастотного напряжения Um.
  4. С помощью статической модуляционной характеристики определить оптимальное смещение E0 и допустимую величину амплитуды UW модулирующего напряжения UW cosWt , соответствующие неискаженной модуляции.
  5. Рассчитать коэффициент модуляции mАМ для выбранного режима. Построить спектр и временную диаграмму АМ-сигнала.

Значения S, u0 и Um приведены в таблице 3.

 

Таблица 3

Предпоследняя цифра номера студенческого билета 0
S, mA/B 100
Последняя цифра номера студенческого билета 1
u0, В 0,45
Um, В 0,50

 

Методические указания

 

  1. Изучите материал ([1] c. 36-39, 46-50; [3], с. 17-22, 79-84).
  2. Статическую модуляционную характеристику следует рассчитать и построить для семи-десяти значений E на интервале u0-Um до u0+Um. Для выбранного значения E и заданных u0 и Um определить угол отсечки q, с помощью которого определяется значение амплитуды первой гармоники тока коллектора I1 методом угла отсечки.

 

 

 

 

 

 

 

 

Задача 4

 

Вольт-амперная характеристика диода амплитудного детектора аппроксимирована отрезками прямых

ì su      при  u ³ 0,

i

î 0        при  u < 0.

На входе детектора действует амплитудно-модулированное колебание

uАМ(t)=Um(1+mАМcos2pFt)cos2pf0t

         Требуется:

  • Пояснить назначение детектирования модулированных колебаний. Изобразить схему диодного детектора и описать принцип ее работы.
  • Рассчитать необходимое значение сопротивления нагрузки детектора Rн  для получения заданного значения коэффициента передачи детектора kд.

3 Выбрать значение емкости нагрузки детектора Cн при заданных f0 и F.

4 Рассчитать и построить спектры напряжений на входе и выходе детектора.

Значения S, mAM и kд даны в таблице 4, а значения Um, F и f0 -в таблице 5.

 

Таблица 4

Предпоследняя цифра номера студенческого билета 0
S, mA/B 30
mАМ 0,8
kд 0,9

 

Таблица 5

Последняя цифра номера студенческого билета 1
Um , В 1,2
f0, кГц 350
F, кГц 5

 

Методические указания.

  1. Изучите материал ([1], c. 57-66;[3], с. 95-100).
  2. Для расчета Rн следует воспользоваться выражениями (3.93) и (3.94) в [3]

kд = cosq  и  tgq — q = p / SRн ,

где q — угол отсечки в радианах.

 

50 ГЕНИАЛЬНЫХ СПОСОБОВ СПИСАТЬ НА ЭКЗАМЕНЕ / ШКОЛЬНЫЕ ЛАЙФХАКИ50 ГЕНИАЛЬНЫХ СПОСОБОВ СПИСАТЬ НА ЭКЗАМЕНЕ / ШКОЛЬНЫЕ ЛАЙФХАКИ

Отзывы

Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на “РГР Общая теория связи для студентов заочной формы обучения СибГУТИ для направления 11.03.02”

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *


Заказать