РГР Общая теория связи для студентов заочной формы обучения СибГУТИ для направления 11.03.02

Варианты: 01, 06

Цена: 600.00

  • ID работы: 13643
  • Учебное заведение:
  • Добавлена: 2019
  • Посл. изменения: 8-10-2022
  • Тип: .
  • Предмет: Теория электрической связи (Общая теория связи)
  • Формат: pdf,docx
Выберите нужный вариант - отобразится его стоимость - нажмите В корзину:

Расчётно-графическая работа по курсу «Общая теория связи» по методическим указаниям 2018 года.  Есть похожие предыдущих годов, смотрите по ссылке или метке «Теория электрической связи» в колонке справа.

общая теория связи

Вариант 01

Есть только задачи 1, 3, 4

Вариант

a0, мА/В a1, мА/В a2, мА/В f1, кГц f2, кГц Um1, В Um2, В
1. 8 6.4 1.3 5 1 1.5 0.8

 

Предпоследняя цифра номера студенческого билета 0
S, mA/B 100
Последняя цифра номера студенческого билета 1
u0, В 0,45
Um, В 0,50

 

Таблица 4

Предпоследняя цифра номера студенческого билета 0
S, mA/B 30
mАМ 0,8
kд 0,9

 

Таблица 5

Последняя цифра номера студенческого билета 1
Um , В 1,2
f0, кГц 350
F, кГц 5

 

Вариант 06 (наверное)

Есть только задачи 1, 2, 3

Таблица 1 – Исходные данные

a0, мА/В a1, мА/В a2, мА/В f1, кГц f2, кГц Um1, В Um2, В
6 12 6 3 0.8 0.6 0.4

Таблица 2 — Исходные данные

S, мА/В U0, В Um, В E, В
22 0,2 1,1 -0,5

 

Таблица 3 — Исходные данные

а0, мА/В а1, мА/В а2, мА/В E, В Um Um
4 6 3 5.8 2.5 1

 

 

 

  1. РАСЧЕТНО-ГРАФИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ И МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ ПО ЕГО ВЫПОЛНЕНИЮ

Задача 1

К полупроводниковому прибору с нелинейной вольт-амперной характеристикой прикладывается бигармоническое напряжение     .

Вольт-амперная характеристика прибора аппроксимируется степенным полиномом:

где icпротекающий через полупроводниковый прибор ток;

uвоздействующее на полупроводниковый прибор напряжение.

        

Рассчитать спектр тока и построить спектральную диаграмму для исходных данных таблицы 1.

 

Таблица 1. Исходные данные

 

Вариант

a0, мА/В a1, мА/В a2, мА/В f1, кГц f2, кГц Um1, В Um2, В
1. 8 6.4 1.3 5 1 1.5 0.8

 

Задача 2

Ток в полупроводниковом диоде i связан с приложенным напряжением U кусочно-линейной зависимостью:

где S – крутизна,

U0напряжение отсечки.

         Найдите постоянную составляющую тока I0, амплитуду первой, второй и третьей гармоник протекающего тока (Im1, Im2, Im3) для входного воздействия в виде напряжения Uвх(t)=E+Umcosw0t.

         Постройте спектральную диаграмму протекающего тока и укажите, какие спектральные составляющие следует выделять параллельным колебательным контуром для получения умножения частоты в два и три раза.

 

Таблица 2. Исходные данные

 

Вариант

S, мА/В U0, В Um, В E, В
1.       30 0,2 0,5 0,5

 

Методические указания:

  1. Изучить материал ([3], с. 63-68).
  2. Метод угла отсечки применяется при кусочно-линейной аппроксимации вольт-амперных характеристик. Он широко используется при расчетах транзисторных усилителей, генераторов и умножителей частоты.

Половина части периода, в течение которой протекает ток (или та часть периода, в течение которой ток изменяется от максимального значения до нулевого), называется углом отсечки. Угол отсечки обозначаем θ.

Нахождение максимального тока осуществляется по формуле:

Imax = SU(1 – cosθ)

Периодическая последовательность импульсов тока [3, c. 64] является четной функцией. Ее разложение в ряд Фурье имеет вид:

I =I0 + I1cosωt + I2cos2ωt + I3cos3ωt + …

Амплитуды компонент тока определяются как:

In = SUαn(θ),

коэффициент αn называется соответственно коэффициентами постоянной составляющей, первой, второй и прочих гармоник, зависящими от угла отсечки [3, с. 65].

 

 

Задача 3

 

Вольт-амперная характеристика (ВАХ) биполярного транзистора амплитудного модулятора аппроксимирована выражением

 

где   — ток коллектора транзистора;

      — напряжение на базе транзистора;

 — крутизна вольт-амперной характеристики;

— напряжение отсечки ВАХ.

 

Требуется:

  1. Объяснить назначение модуляции несущей и описать различные виды модуляции.
  2. Изобразить схему транзисторного амплитудного модулятора, пояснить принцип ее работы и назначение ее элементов.
  3. Дать понятие статической модуляционной характеристики (СМХ). Рассчитать и построить (СМХ) при заданных S, u0 и значении амплитуды входного высокочастотного напряжения Um.
  4. С помощью статической модуляционной характеристики определить оптимальное смещение E0 и допустимую величину амплитуды UW модулирующего напряжения UW cosWt , соответствующие неискаженной модуляции.
  5. Рассчитать коэффициент модуляции mАМ для выбранного режима. Построить спектр и временную диаграмму АМ-сигнала.

Значения S, u0 и Um приведены в таблице 3.

 

Таблица 3

Предпоследняя цифра номера студенческого билета 0
S, mA/B 100
Последняя цифра номера студенческого билета 1
u0, В 0,45
Um, В 0,50

 

Методические указания

 

  1. Изучите материал ([1] c. 36-39, 46-50; [3], с. 17-22, 79-84).
  2. Статическую модуляционную характеристику следует рассчитать и построить для семи-десяти значений E на интервале u0-Um до u0+Um. Для выбранного значения E и заданных u0 и Um определить угол отсечки q, с помощью которого определяется значение амплитуды первой гармоники тока коллектора I1 методом угла отсечки.

 

 

 

 

 

 

 

 

Задача 4

 

Вольт-амперная характеристика диода амплитудного детектора аппроксимирована отрезками прямых

ì su      при  u ³ 0,

i

î 0        при  u < 0.

На входе детектора действует амплитудно-модулированное колебание

uАМ(t)=Um(1+mАМcos2pFt)cos2pf0t

         Требуется:

  • Пояснить назначение детектирования модулированных колебаний. Изобразить схему диодного детектора и описать принцип ее работы.
  • Рассчитать необходимое значение сопротивления нагрузки детектора Rн  для получения заданного значения коэффициента передачи детектора kд.

3 Выбрать значение емкости нагрузки детектора Cн при заданных f0 и F.

4 Рассчитать и построить спектры напряжений на входе и выходе детектора.

Значения S, mAM и kд даны в таблице 4, а значения Um, F и f0 -в таблице 5.

 

Таблица 4

Предпоследняя цифра номера студенческого билета 0
S, mA/B 30
mАМ 0,8
kд 0,9

 

Таблица 5

Последняя цифра номера студенческого билета 1
Um , В 1,2
f0, кГц 350
F, кГц 5

 

Методические указания.

  1. Изучите материал ([1], c. 57-66;[3], с. 95-100).
  2. Для расчета Rн следует воспользоваться выражениями (3.93) и (3.94) в [3]

kд = cosq  и  tgq — q = p / SRн ,

где q — угол отсечки в радианах.

 

50 ГЕНИАЛЬНЫХ СПОСОБОВ СПИСАТЬ НА ЭКЗАМЕНЕ / ШКОЛЬНЫЕ ЛАЙФХАКИ50 ГЕНИАЛЬНЫХ СПОСОБОВ СПИСАТЬ НА ЭКЗАМЕНЕ / ШКОЛЬНЫЕ ЛАЙФХАКИ

Отзывы

Отзывов пока нет.

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *


Техническая поддержка Live Chat

Привет, опишите свою проблему. Обязательно суть проблемы, email для связи

Заказать